MOSFET, JFET Flashcards
¿Como se comporta el MOSFET en la zona triodo?
Se comporta como una resistencia controlada por tensión y se da para valores de VDS pequeños
Esta resistencia controlada por tensión se llama rds y se obtiene como la derivada de VDS respecto a ID de zona triodo
Recordar que la ID es distinta si estamos en triodo : ID = B[2(VGS - VT)VDS - VDS^2] que si estamos en zona lineal o saturación: ID = B(VGS - VT)^2
¿Porque tiene mayor gm el TBJ que el FET?
Porque el TBJ tiene una dependencia de la corriente exponencial mientras que el FET tiene una dependencia cuadrática. Entonces al hacer la derivada de la corriente de salida respecto a la tensión de entrada, en el TBJ me da mayor
¿Porque el MOSFET es más lineal que el TBJ?
Porque el MOSFET tiene una dependencia de la corriente cuadrática, lo cual hace que al desarrollar la misma, solo me queden hasta términos de 2do orden, mientras que en el TBJ aparecen infinitos términos debido a la dependencia exponencial que posee la corriente
¿Qué problema tiene el JFET respecto al MOSFET?
Tiene mucho mas dispersion en los parametros IDSS y VP, lo cual provoca que si no lo polarizamos adecuadamente, el punto Q varie demasiado y se comporte alinealmente
¿Como solucionamos el problema de la linealidad?
Con autopolarizacion o polarizacion fija, la cual disminuyen la pendiente de la recta de carga en donde se mueve el punto Q y por lo tanto hacen que la dispersion en VP e IDSS sea mucho menor, pero en la autopolarizacion es a costa de menor Rin y mayor VDD, ya que debo aumentar VGG para lograr esto
¿Cómo se puede controlar la transconductancia del dispositivo?
Modificando la tensión de gate se puede obtener una variación lineal de la transconductancia tal que gfs = 2B(Vgs - Vt)². Considerando siempre que los parámetros constructivos no pueden ser cambiados.
