Especificos 3 Flashcards
1001-1168 (168 cards)
1001.- Año en que se demostró la acción amplificadora del primer transistor.
1947.0
1002.- Al dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo P y una capa de material tipo N; se le conoce como…
Transistor PNP.
1003.- Al dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo N y una capa de material tipo P; se le conoce como…
Transistor NPN.
1004.- Se dice que un transistor polarizado, entra en la región de corte cuando su corriente de colector es…
Cero amperes.
1005.- En la región de saturación, tanto la unión base-colector como la emisor-base están…
En polarización directa.
1006.- Los valores típicos de la amplificación de voltaje para la configuración de base común varían entre…
50 y 300.
1007.- Configuración del transistor a la cual se le denomina así, debido a que ________ es común o hace referencia a las terminales de entrada como de salida.
El emisor.
1008.- Para la configuración de ________ común, las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada IB en función del voltaje de entrada VBE para un rango de valores de voltaje de salida VCE.
Emisor.
1009.- A la beta de AC formalmente se le da el nombre de factor de amplificación de corriente directa de ________ común.
Emisor.
1010.- REGIÓN DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR QUE SE DEFINE COMO LA REGIÓN POR ABAJO DE IC
CORTE
1011.- EL TRANSISTOR BJT ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR:
CORRIENTE
1012.- EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO ES UN DISPOSITIVO:
UNIPOLAR
1013.- LOS FETS CANAL P DEPENDEN ÚNICAMENTEDE LA CONDUCCIÓN DE:
HUECOS
1014.- AL DISPOSITIVO EN EL CUAL UNA CORRIENTE PARTICULAR DEFINE SUS CONDICIONES DE OPERACIÓN, SE LE CONOCE COMO DISPOSITIVO CONTROLADO POR:
CORRIENTE
1015.- LOS FETS CON RESPECTO A LOS BJTS SON MAS ESTABLES A LOS CAMBIOS DE:
TEMPERATURA
1016.- EN UN JFET, LA PARTE INFERIOR DEL CANAL TIPO N SE ENCUENTRA CONECTADA POR MEDIO DE UN CONTACTO ÓHMICO A:
LA FUENTE
1017.- LA CORRIENTE MÁXIMA DE CUALQUIER FET, OCURRE CUANDO VGS ES:
CERO VOLTS
1018.- EN LOS JFETS LAS CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS INCLUYEN EL NIVEL DE VP EN LAS
CARACTERÍSTICAS DE APAGADO Y DE__________EN LAS DE ENCENDIDO.
IDSS
1019.- EN LOS JFETS, ES LA REGIÓN QUE DEFINE LOS VALORES MÁXIMOS PERMISIBLES DE VDS PARA CADA NIVEL DE VGS:
ÓHMICA
1020.- LA ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA DE UN MOSFET TIPO DECREMENTAL SE DEBE A LA CAPA AISLANTE DE ____________EMPLEADA EN SU CONSTRUCCIÓN.
DIÓXIDO DE SILICIO
1021.- ES UNA CONEXIÓN POPULAR DE ETAPAS DE AMPLIFICADOR. BASICAMENTE ES UNA CONEXIÓN EN SERIE CON LA SALIDA DE UNA ETAPA APLICADA COMO ENTRADA A LA SEGUNDA ETAPA:
EN CASCADA
1022.- EN UNA CONEXIÓN EN CASCADA, LA ______ DE ENTRADA DEL CIRCUITO ES LA DE LA ETAPA 1;
MIENTRAS QUE LA DE SALIDA ES LA DE LA ETAPA 2.
IMPEDANCIA
1023.- EL TIPO DE CONEXIÓN EMPLEADA EN CIRCUITOS AMPLIFICADORES, QUE TIENE UN TRANSISTOR
ENCIMA, ES DECIR, EN SERIE CON OTRO, SE CONOCE COMO:
CASCODE
1024.- EL ARREGLO EN CONEXIÓN CASCODE BASE COMÚN-EMISOR COMÚN ASEGURA QUE LA CAPACITANCIA MILLER DE ENTRADA ESTE A UN MÍNIMO, EN TANTO LA ETAPA BASE COMÚN PROPORCIONA UNA BUENA OPERACIÓN A
FRECUENCIAS:
ALTAS